
Еще один важный научный прорыв в мире технологий: японские ученые создали совершенно новый, эффективный и энергосберегающий метод управления памятью компьютера. Эта научная работа была опубликована в журнале «Advanced Materials» и вызвала большой интерес у производителей цифровых устройств по всему миру.
Сегодня такие устройства, как ноутбуки, смартфоны и серверы, постоянно используют электричество для обмена информацией. При этом большое количество энергии теряется в виде тепла. Это особенно большая проблема для устройств, которые работают непрерывно. Чтобы решить эту проблему, ученые из Токийского института науки обратились к передовым материалам — мультиферроикам.
Уникальной особенностью мультиферроиков является то, что они обладают способностью изменять свои магнитные свойства без необходимости нагрева, только под воздействием электрического поля. Ранее считалось, что этот процесс может происходить только при совпадении электрического и магнитного направлений. Однако исследователи под руководством профессора Кея Сигэмацу опровергли эту идею.
В ходе эксперимента были протестированы тонкие пленки из вещества BiFe₀.₉Co₀.₁O₃. В результате ученые доказали, что памятью можно управлять точно и стабильно даже при направлении электрического поля под углом к магнитному сигналу.
Каковы перспективы технологии?
Данная инновация послужит трамплином для создания нового поколения технологий памяти для цифровых устройств. То есть можно будет более гибко и свободно размещать электроды и датчики. Такой метод сделает компьютеры и смартфоны более компактными, мощными и энергоэффективными.
— «Наша технология прокладывает путь к созданию экономичной, мощной и стабильной памяти для компьютеров и мобильных устройств в будущем», — говорит профессор Шигемацу. «Особенно в то время, когда по всему миру используются миллиарды цифровых устройств, и они потребляют все больше энергии, такие достижения имеют огромное значение для нашей жизни».
Открытие японских ученых послужит не только технологическому прогрессу, но и экологической устойчивости. В ближайшем будущем блоки памяти, произведенные с использованием этого метода, могут произвести революцию в мировой компьютерной индустрии. Читайте «Замин» в Telegram!
Ctrl
Enter
Нашли оШибку
Выделите текст и нажмите Ctrl+Enter Новости по теме