Токио университеті мен Жапонияның RIKEN ғылыми-зерттеу институтының ғалымдары жаңа буын жад құрылғыларын жасауда маңызды жетістікке жетті. Зерттеушілер Mn3Sn (тримарганец-қалайы) антиферромагниттік материалының магниттік күйін небәрі 40 пикосекундқа созылатын электр импульсі арқылы өзгертуге қол жеткізді. Бұл көрсеткіш қазіргі DRAM жадыларының 10 наносекундтық қолжетімділік жылдамдығынан шамамен 250 есе жылдам. Бұл туралы Ixbt.com хабарлайды.
Қазіргі таңда CPU және GPU өнімділігін арттыру әрекеттері құрылғылардың қызып кетуіне және энергия шығынының күрт артуына әкелуде. Жаңа әзірлемеде қолданылған "spin-orbit torque" принципі материалдың магниттік күйін минималды жылу бөлу арқылы өте жылдам өзгертуге мүмкіндік береді. Бұл технология болашақта энергия үнемдейтін және аса жылдам есептеу жүйелерін құру үшін негіз бола алады.
Ғалымдар сонымен қатар деректерді жазу процесін тек электр тогы арқылы ғана емес, сонымен қатар аса қысқа жарық импульстері арқылы да жүзеге асыруға болатынын көрсетті. Ол үшін лазер мен фотоэлектрлік түрлендіргіш пайдаланылды. Бұл тәсіл оптика мен электроника бірлесіп жұмыс істейтін болашақ есептеу жүйелері үшін перспективалы бағыт болып табылады.
Авторлардың пікірінше, бұл технология деректерді өңдеудегі кідірістер минималды болуы және жылу бөлінуін азайту талап етілетін салаларда төңкеріс жасайды деп күтілуде. Бұл жаңалық энергия тиімділігін арттыруда және жоғары жылдамдықты жад құрылғыларын дамытуда жаңа дәуірді бастауы мүмкін.
“Zamin”-ді Telegram-нан оқыңыз!
