Tokyo Üniversitesi ve Japonya'nın RIKEN araştırma enstitüsünden bilim insanları, yeni nesil bellek cihazlarının geliştirilmesinde önemli bir başarıya imza attı. Araştırmacılar, Mn3Sn (trimangan-kalay) antiferromanyetik malzemesinin manyetik durumunu sadece 40 pikosaniye süren bir elektrik darbesiyle değiştirmeyi başardılar. Bu değer, mevcut DRAM belleklerinin 10 nanosaniyelik erişim hızından yaklaşık 250 kat daha hızlıdır. Bu haberi Ixbt.com aktarıyor.
Günümüzde CPU ve GPU performansını artırma çabaları, cihazların aşırı ısınmasına ve enerji tüketiminin hızla artmasına yol açmaktadır. Yeni çalışmada kullanılan "spin-orbit torque" prensibi, malzemenin manyetik durumunun minimum ısı üretimiyle çok hızlı bir şekilde değiştirilmesine olanak tanır. Bu teknoloji, gelecekte enerji verimli ve ultra hızlı hesaplama sistemleri oluşturmak için temel teşkil edebilir.
Bilim insanları ayrıca, veri yazma işleminin sadece elektrik akımıyla değil, aynı zamanda ultra kısa ışık darbeleriyle de gerçekleştirilebileceğini gösterdiler. Bunun için lazer ve fotoelektrik dönüştürücü kullanıldı. Bu yaklaşım, optik ve elektroniğin birlikte çalıştığı gelecekteki hesaplama sistemleri için umut verici bir yöndür.
Yazarlara göre, bu teknolojinin veri işleme süreçlerinde gecikmelerin minimuma indirilmesi ve ısı üretiminin azaltılması gereken alanlarda devrim yaratması bekleniyor. Bu keşif, enerji verimliliğini artırmada ve yüksek hızlı bellek cihazlarının geliştirilmesinde yeni bir dönemi başlatabilir.
“Zamin”i Telegram'da okuyun!
