Científicos de la Universidad de Tokio y del instituto de investigación japonés RIKEN han logrado un avance importante en la creación de dispositivos de memoria de próxima generación. Los investigadores lograron cambiar el estado magnético del material antiferromagnético Mn3Sn (manganeso-estaño) utilizando un pulso eléctrico que dura solo 40 picosegundos. Esta cifra es aproximadamente 250 veces más rápida que la velocidad de acceso de 10 nanosegundos de las memorias DRAM actuales. Así lo informa Ixbt.com informa .
Actualmente, los intentos de aumentar el rendimiento de las CPU y GPU provocan sobrecalentamiento y un fuerte aumento del consumo de energía. El principio de "spin-orbit torque" utilizado en el nuevo desarrollo permite cambiar el estado magnético del material muy rápidamente con una generación de calor mínima. Esta tecnología podría sentar las bases para sistemas informáticos energéticamente eficientes y ultrarrápidos en el futuro.
Los científicos también demostraron que el proceso de escritura de datos puede realizarse no solo mediante corriente eléctrica, sino también mediante pulsos de luz ultracortos. Para ello se utilizó un láser y un convertidor fotoeléctrico. Este enfoque es una dirección prometedora para futuros sistemas informáticos donde la óptica y la electrónica trabajan juntas.
Los autores creen que se espera que esta tecnología revolucione los campos donde se requiere una latencia mínima y una reducción de la generación de calor para el procesamiento de datos. Este descubrimiento podría marcar el comienzo de una nueva era en el aumento de la eficiencia energética y el desarrollo de dispositivos de memoria de alta velocidad.
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