Japanische Wissenschaftler entwickeln Technologie, die 250-mal schneller als DRAM-Speicher ist
Wissenschaftler der Universität Tokio und des japanischen Forschungsinstituts RIKEN haben einen wichtigen Durchbruch bei der Entwicklung von Speichergeräten der nächsten Generation erzielt. Den Forschern gelang es, den magnetischen Zustand des antiferromagnetischen Materials Mn3Sn (Mangan-Zinn) mit einem elektrischen Impuls von nur 40 Pikosekunden zu verändern. Dies ist etwa 250-mal schneller als die 10-Nanosekunden-Zugriffsgeschwindigkeit aktueller DRAM-Speicher. Dies berichtet Ixbt.com berichtet .
Derzeit führen Versuche zur Steigerung der CPU- und GPU-Leistung zu Überhitzung und einem drastischen Anstieg des Energieverbrauchs. Das bei der Neuentwicklung angewandte Prinzip des "Spin-Orbit-Torque" ermöglicht eine sehr schnelle Änderung des magnetischen Zustands des Materials bei minimaler Wärmeentwicklung. Diese Technologie könnte die Grundlage für energieeffiziente und ultraschnelle Rechensysteme der Zukunft bilden.
Die Wissenschaftler zeigten zudem, dass der Datenschreibvorgang nicht nur durch elektrischen Strom, sondern auch durch ultrakurze Lichtimpulse erfolgen kann. Hierfür wurden ein Laser und ein photoelektrischer Wandler eingesetzt. Dieser Ansatz ist ein vielversprechender Weg für zukünftige Rechensysteme, in denen Optik und Elektronik zusammenarbeiten.
Die Autoren gehen davon aus, dass diese Technologie Bereiche revolutionieren wird, in denen minimale Latenzzeiten und geringe Wärmeentwicklung bei der Datenverarbeitung erforderlich sind. Diese Entdeckung könnte eine neue Ära der Energieeffizienz und der Entwicklung von Hochgeschwindigkeitsspeichern einläuten.
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