Японские ученые создали технологию в 250 раз быстрее памяти ДРАМ

Ученые из Токийского университета и японского научно-исследовательского института РИКЭН достигли важного прорыва в создании запоминающих устройств нового поколения. Исследователям удалось изменить магнитное состояние антиферромагнитного материала Мн3Сн (тримарганец-олово) с помощью электрического импульса длительностью всего 40 пикосекунд. Этот показатель примерно в 250 раз быстрее скорости доступа современных ДРАМ-памятей, составляющей 10 наносекунд. Об этом сообщает Иксбт.ком .

В настоящее время попытки повысить производительность CPU и GPU приводят к перегреву устройств и резкому росту энергопотребления. Принцип «спин-орбит торкуе», использованный в новой разработке, позволяет изменять магнитное состояние материала очень быстро с минимальным выделением тепла. Эта технология может стать основой для создания энергоэффективных и сверхбыстрых вычислительных систем в будущем.

Ученые также показали, что процесс записи данных можно осуществлять не только с помощью электрического тока, но и посредством сверхкоротких световых импульсов. Для этого были использованы лазер и фотоэлектрический преобразователь. Такой подход является перспективным направлением для будущих вычислительных систем, где оптика и электроника работают совместно.

По мнению авторов, данная технология призвана совершить революцию в областях, где требуются минимальные задержки при обработке данных и снижение тепловыделения. Это открытие может ознаменовать новую эру в повышении энергоэффективности и развитии высокоскоростных запоминающих устройств.