Des scientifiques japonais créent une technologie 250 fois plus rapide que la mémoire DRAM
Des scientifiques de l'Université de Tokyo et de l'institut de recherche japonais RIKEN ont réalisé une avancée majeure dans la création de dispositifs de mémoire de nouvelle génération. Les chercheurs ont réussi à modifier l'état magnétique du matériau antiferromagnétique Mn3Sn (manganèse-étain) à l'aide d'une impulsion électrique ne durant que 40 picosecondes. Ce chiffre est environ 250 fois plus rapide que la vitesse d'accès de 10 nanosecondes des mémoires DRAM actuelles. C'est ce que rapporte Ixbt.com rapporte .
Actuellement, les tentatives d'augmentation des performances des CPU et GPU entraînent une surchauffe et une forte augmentation de la consommation d'énergie. Le principe du "spin-orbit torque" utilisé dans ce nouveau développement permet de modifier très rapidement l'état magnétique du matériau avec une génération de chaleur minimale. Cette technologie pourrait constituer la base de systèmes informatiques économes en énergie et ultra-rapides à l'avenir.
Les scientifiques ont également démontré que le processus d'écriture des données peut être effectué non seulement par courant électrique, mais aussi par des impulsions lumineuses ultra-courtes. Un laser et un convertisseur photoélectrique ont été utilisés à cet effet. Cette approche est une voie prometteuse pour les futurs systèmes informatiques où l'optique et l'électronique travaillent ensemble.
Les auteurs estiment que cette technologie devrait révolutionner les domaines où une latence minimale et une réduction de la génération de chaleur sont requises pour le traitement des données. Cette découverte pourrait inaugurer une nouvelle ère en matière d'efficacité énergétique et de développement de dispositifs de mémoire à haute vitesse.
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