Tokio universiteti va Yaponiyaning RIKEN ilmiy-tadqiqot instituti olimlari yangi avlod xotira qurilmalarini yaratishda muhim yutuqqa erishdilar. Tadqiqotchilar Mn3Sn (trimarganets-olovo) antiferromagnit materialining magnit holatini atigi 40 pikosekund davom etadigan elektr impulsi yordamida oʻzgartirishga muvaffaq boʻlishdi. Bu koʻrsatkich hozirgi DRAM xotiralarining 10 nanosekundlik kirish tezligidan taxminan 250 barobar tezroqdir. Bu haqda Ixbt.com xabar beradi.
Hozirgi kunda CPU va GPU ish unumdorligini oshirish urinishlari qurilmalarning qizib ketishi va energiya sarfining keskin ortishiga olib kelmoqda. Yangi ishlanmada qoʻllanilgan "spin-orbit torque" prinsipi materialning magnit holatini minimal issiqlik ajralishi bilan juda tez oʻzgartirish imkonini beradi. Bu texnologiya kelajakda energiya tejamkor va oʻta tezkor hisoblash tizimlarini qurish uchun asos boʻlishi mumkin.
Olimlar, shuningdek, maʼlumotlarni yozish jarayonini nafaqat elektr toki, balki oʻta qisqa yorugʻlik impulslari orqali ham amalga oshirish mumkinligini koʻrsatib berishdi. Buning uchun lazer va fotoelektrik oʻzgartirgichdan foydalanildi. Ushbu yondashuv optika va elektronika birgalikda ishlaydigan kelajakdagi hisoblash tizimlari uchun istiqbolli yoʻnalish hisoblanadi.
Mualliflarning fikricha, mazkur texnologiya maʼlumotlarni qayta ishlashda kechikishlar minimal boʻlishi va issiqlik ajralishini kamaytirish talab etiladigan sohalarda inqilobiy oʻzgarishlar yasashi kutilmoqda. Bu kashfiyot energiya samaradorligini oshirish va yuqori tezlikdagi xotira qurilmalarini rivojlantirishda yangi davrni boshlab berishi mumkin.
“Zamin”ni Telegramʻda oʻqing!
