Samsung Electronics dunyodagi ilk 900 qatlamli 3D NAND xotira prototipini ishlab chiqdi. Kompaniya muhandislari ushbu natijaga erishish uchun CMB (Cell-on-Cell/multi-layer bonding) texnologiyasi yordamida ikkita 450 qatlamli kristallni birlashtirishga muvaffaq boʻlishdi. Bu haqda Ixbt.com xabar beradi.
Koreya OAVlarining xabar berishicha, xotira yacheykalarining ish qobiliyati sinov namunalarida allaqachon tasdiqlangan. Mazkur texnologiya ikkita alohida NAND "osmonparchini" yagona 900 qatlamli strukturaga yopishtirishni koʻzda tutadi. Bu esa qatlamlarni birlashtirishda oʻta yuqori aniqlik va ulanish ishonchliligini talab qiladi.
Ishlab chiqish jarayonida Samsung bir qator texnologik muammolarni hal qildi. Xususan, plastinalarning deformatsiyasi bartaraf etildi va qatlamlarni ustma-ust tushirishni korreksiya qilishning yangi usuli tufayli xatoliklar minimallashtirildi.
Shuningdek, bit line (BL) va word line (WL) arxitekturasi takomillashtirildi. Bu oʻzgarishlar energiya sarfini kamaytirish va kristall oʻlchamlarini optimallashtirish imkonini berdi. 900 qatlamli NAND xotirasining yaratilishi maʼlumotlarni saqlash zichligini yanada oshirish yoʻlida yangi davrni ochib beradi.
“Zamin”ni Telegramʻda oʻqing!
