Samsung Electronics hat den weltweit ersten 900-Schichten-3D-NAND-Speicherprototyp entwickelt. Um dieses Ergebnis zu erzielen, gelang es den Ingenieuren des Unternehmens, zwei 450-Schichten-Kristalle mithilfe der CMB-Technologie (Cell-on-Cell/multi-layer bonding) zu verbinden. Dies berichtet Ixbt.com berichtet .
Koreanischen Medienberichten zufolge wurde die Funktionsfähigkeit der Speicherzellen in Testmustern bereits bestätigt. Diese Technologie sieht das Verbinden zweier separater NAND-„Wolkenkratzer“ zu einer einzigen 900-Schichten-Struktur vor. Dies erfordert höchste Präzision und Verbindungszuverlässigkeit.
Während des Entwicklungsprozesses löste Samsung eine Reihe technologischer Probleme. Insbesondere wurde die Verformung der Wafer beseitigt und Fehler durch eine neue Methode zur Korrektur der Schichtausrichtung minimiert.
Zudem wurde die Architektur der Bit-Line (BL) und Word-Line (WL) verbessert. Diese Änderungen ermöglichten eine Senkung des Energieverbrauchs und eine Optimierung der Kristallabmessungen. Die Entwicklung des 900-Schichten-NAND-Speichers läutet eine neue Ära für die Datendichte ein.
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