Samsung Electronics ha desarrollado el primer prototipo de memoria 3D NAND de 900 capas del mundo. Para lograr este resultado, los ingenieros de la compañía lograron combinar dos cristales de 450 capas utilizando la tecnología CMB (Cell-on-Cell/multi-layer bonding). Así lo informa Ixbt.com informa .
Según medios coreanos, la funcionalidad de las celdas de memoria ya ha sido verificada en muestras de prueba. Esta tecnología implica unir dos "rascacielos" NAND separados en una estructura única de 900 capas, lo que requiere una precisión extrema y fiabilidad en la conexión.
Durante el proceso de desarrollo, Samsung resolvió varios problemas tecnológicos. En particular, se eliminó la deformación de las obleas y se minimizaron los errores gracias a un nuevo método para corregir la alineación de las capas.
Además, se mejoró la arquitectura de las bit lines (BL) y word lines (WL). Estos cambios permitieron reducir el consumo de energía y optimizar las dimensiones del cristal. La creación de la memoria NAND de 900 capas abre una nueva era en la densidad de almacenamiento de datos.
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