Samsung Electronics a développé le premier prototype de mémoire 3D NAND à 900 couches au monde. Pour y parvenir, les ingénieurs de l'entreprise ont réussi à combiner deux cristaux de 450 couches grâce à la technologie CMB (Cell-on-Cell/multi-layer bonding). C'est ce que rapporte Ixbt.com rapporte .
Selon les médias coréens, la fonctionnalité des cellules mémoire a déjà été vérifiée sur des échantillons de test. Cette technologie consiste à assembler deux « gratte-ciel » NAND distincts en une structure unique de 900 couches, ce qui exige une précision extrême et une grande fiabilité de connexion.
Au cours du développement, Samsung a résolu plusieurs problèmes technologiques. Notamment, la déformation des plaquettes a été éliminée et les erreurs ont été minimisées grâce à une nouvelle méthode de correction de l'alignement des couches.
De plus, l'architecture des bit lines (BL) et word lines (WL) a été améliorée. Ces changements ont permis de réduire la consommation d'énergie et d'optimiser les dimensions des cristaux. La création de cette mémoire NAND à 900 couches ouvre une nouvelle ère pour la densité de stockage des données.
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