Samsung Electronics, dünyanın ilk 900 katmanlı 3D NAND bellek prototipini geliştirdi. Şirket mühendisleri, bu sonuca ulaşmak için CMB (Cell-on-Cell/multi-layer bonding) teknolojisini kullanarak iki adet 450 katmanlı kristali birleştirmeyi başardı. Bu gelişmeyi Ixbt.com aktarıyor .
Kore medyasının bildirdiğine göre, bellek hücrelerinin işlevselliği test örneklerinde doğrulandı. Bu teknoloji, iki ayrı NAND "gökdelenini" tek bir 900 katmanlı yapıda birleştirmeyi öngörüyor. Bu durum, katmanların birleştirilmesinde son derece yüksek hassasiyet ve bağlantı güvenilirliği gerektiriyor.
Geliştirme sürecinde Samsung bir dizi teknolojik sorunu çözdü. Özellikle plakaların deformasyonu giderildi ve katman hizalamasını düzeltmeye yönelik yeni bir yöntem sayesinde hatalar minimize edildi.
Ayrıca bit line (BL) ve word line (WL) mimarisi geliştirildi. Bu değişiklikler, enerji tüketimini azaltmayı ve kristal boyutlarını optimize etmeyi mümkün kıldı. 900 katmanlı NAND belleğin üretimi, veri depolama yoğunluğunu artırma yolunda yeni bir dönem başlatıyor.
“Zamin”i Telegram'da okuyun!
