Samsung Electronics разработала первый в мире прототип памяти 3D NAND с 900 слоями. Инженеры компании достигли этого результата, объединив два 450-слойных кристалла с помощью технологии CMB (Cell-on-Cell/multi-layer bonding). Об этом сообщает Ixbt.com сообщает .
Как сообщают корейские СМИ, работоспособность ячеек памяти уже подтверждена на тестовых образцах. Данная технология предполагает соединение двух отдельных NAND-«небоскребов» в единую 900-слойную структуру. Это требует высочайшей точности при совмещении слоев и надежности соединений.
В процессе разработки Samsung решила ряд технологических проблем. В частности, была устранена деформация пластин, а ошибки минимизированы благодаря новому методу коррекции совмещения слоев.
Также была усовершенствована архитектура bit line (BL) и word line (WL). Эти изменения позволили снизить энергопотребление и оптимизировать размеры кристалла. Создание 900-слойной памяти NAND открывает новую эру в повышении плотности хранения данных.
Читайте «Zamin» в Telegram!
