Япониялик олимлар ДRAM хотирасидан 250 баробар тезроқ технологияни яратди

Токио университети ва Япониянинг РИКEН илмий-тадқиқот институти олимлари янги авлод хотира қурилмаларини яратишда муҳим ютуққа эришдилар. Тадқиқотчилар Мн3Сн (тримарганец-олово) антиферромагнит материалининг магнит ҳолатини атиги 40 пикосекунд давом этадиган электр импульси ёрдамида ўзгартиришга муваффақ бўлишди. Бу кўрсаткич ҳозирги ДRAM хотираларининг 10 наносекундлик кириш тезлигидан тахминан 250 баробар тезроқдир. Бу ҳақда Ixbt.com хабар беради.
Ҳозирги кунда CPU ва GPU иш унумдорлигини ошириш уринишлари қурилмаларнинг қизиб кетиши ва энергия сарфининг кескин ортишига олиб келмоқда. Янги ишланмада қўлланилган "спин-орбит торқуе" принципи материалнинг магнит ҳолатини минимал иссиқлик ажралиши билан жуда тез ўзгартириш имконини беради. Бу технология келажакда энергия тежамкор ва ўта тезкор ҳисоблаш тизимларини қуриш учун асос бўлиши мумкин.
Олимлар, шунингдек, маълумотларни ёзиш жараёнини нафақат электр токи, балки ўта қисқа ёруғлик импульслари орқали ҳам амалга ошириш мумкинлигини кўрсатиб беришди. Бунинг учун лазер ва фотоэлектрик ўзгартиргичдан фойдаланилди. Ушбу ёндашув оптика ва электроника биргаликда ишлайдиган келажакдаги ҳисоблаш тизимлари учун истиқболли йўналиш ҳисобланади.
Муаллифларнинг фикрича, мазкур технология маълумотларни қайта ишлашда кечикишлар минимал бўлиши ва иссиқлик ажралишини камайтириш талаб этиладиган соҳаларда инқилобий ўзгаришлар ясаши кутилмоқда. Бу кашфиёт энергия самарадорлигини ошириш ва юқори тезликдаги хотира қурилмаларини ривожлантиришда янги даврни бошлаб бериши мумкин.
“Zamin”ни Telegram'да ўқинг!