900 слоев на одном чипе: Samsung установила рекорд памяти 3Д НАНД

Samsung Электроникс разработала первый в мире прототип памяти 3Д НАНД с 900 слоями. Инженеры компании достигли этого результата, объединив два 450-слойных кристалла с помощью технологии КМБ (Келл-он-Келл/мулти-лаер бондинг). Об этом сообщает Иксбт.ком сообщает .

Как сообщают корейские СМИ, работоспособность ячеек памяти уже подтверждена на тестовых образцах. Данная технология предполагает соединение двух отдельных НАНД-«небоскребов» в единую 900-слойную структуру. Это требует высочайшей точности при совмещении слоев и надежности соединений.

В процессе разработки Samsung решила ряд технологических проблем. В частности, была устранена деформация пластин, а ошибки минимизированы благодаря новому методу коррекции совмещения слоев.

Также была усовершенствована архитектура бит лине (БЛ) и ворд лине (ВЛ). Эти изменения позволили снизить энергопотребление и оптимизировать размеры кристалла. Создание 900-слойной памяти НАНД открывает новую эру в повышении плотности хранения данных.