TSMC имкониятлари чегарасида: ойига 175 мингта пластина ҳам етмаяпти

Тайваннинг яримўтказгичлар ишлаб чиқарувчи TSMC компанияси 3 нанометрли технологик жараён асосида чиплар тайёрлашга бўлган мисли кўрилмаган талабга дуч келди. Коммерсиал Times нашрининг соҳавий манбаларга таяниб хабар беришича, 2026-йилнинг иккинчи чорагига қадар ишлаб чиқариш қувватлари ойига 160–175 минг дона кремний пластинасигача оширилса-да, компания барча буюртмаларни бажаришга улгурмаяпти. Бу ҳақда Ixbt.com хабар беради.

Талабнинг кескин ортишига асосий сабаб — жадал ривожланаётган сунъий интеллект бозори бўлиб қолмоқда. Кўплаб процессор ва AI-тезлаткичлар ишлаб чиқувчилари учун 3 нанометрли технология ҳозирда унумдорлик, энергия сарфи ва таннарх ўртасидаги энг мақбул мувозанатни таъминламоқда. Шу сабабли, кўплаб мижозлар ҳали қимматроқ ва технологик жиҳатдан мураккаб бўлган 2 нанометрли жараёнга ўтишга шошилмаяптилар.

Қувватлар етишмовчилиги фонида TSMC ишлаб чиқариш нархларини тахминан 15 фоизга оширишга тайёрланмоқда. Бироқ, бу талабга сезиларли таъсир кўрсатиши даргумон: йирик мижозлар буюртмаларни айнан TSMC заводларига жойлаштиришда давом этмоқда, чунки бозорда амалда тўлиқ муқобил вариант мавжуд эмас.

Вазиятнинг бундай тус олиши кўп жиҳатдан рақобатчиларнинг муаммолари билан изоҳланади. Масалан, Samsung Electronикс аллақачон ГАА (Гате-Алл-Ароунд) архитектураси асосида 2 нанометрли ишлаб чиқаришни таклиф қилмоқда, бироқ яроқли кристалларнинг чиқиш даражаси тахминан 60 фоизни ташкил этмоқда. Бу кўрсаткич TSMC натижаларидан паст бўлгани учун кўплаб ишлаб чиқувчилар Samsung компаниясини тенг ҳуқуқли ҳамкор эмас, балки захира варианти сифатида кўришмоқда.

Маҳсулот ҳажмини ошириш мақсадида TSMC учта янги ишлаб чиқариш майдончаси қурилишига қарийб 28,6 миллиард доллар сармоя киритишни режалаштирган. Компания 2 нанометрли чипларни оммавий ишлаб чиқаришнинг биринчи йилидаёқ ойига 140 минг дона пластина ҳажмига чиқишни кўзламоқда.