Samsung steigert HBM4-Speicherproduktion im nächsten Jahr drastisch

Die rasante Entwicklung von AI-Technologien und die unaufhörlich wachsende Nachfrage nach Beschleunigern sorgen für einen neuen Wendepunkt auf dem Halbleitermarkt. Laut ixbt.com plant Samsung, das Produktionsvolumen von leistungsstarkem HBM4-Speicher im kommenden Jahr um das 2,5-fache zu steigern. Dieser Schritt wird dazu beitragen, die AI-Infrastruktur auf dem globalen Technologiemarkt weiter auszubauen. Dies berichtet Ixbt.com .

Derzeit stützt sich die neue Generation moderner AI-Beschleuniger genau auf die HBM-Technologie. Laut der Quelle wurden zwar noch keine genauen Zahlen genannt, doch Samsung beabsichtigt, den Einkauf von Glassubstraten für die Speicherproduktion im nächsten Jahr um etwa das 2,5-fache zu erhöhen. Somit wird erwartet, dass auch das Produktionsvolumen des Speichers selbst in gleichem Maße wächst.

Technologische Innovationen und der 4 nm Prozess

Ein weiterer wichtiger Aspekt, der die Aufmerksamkeit der Marktteilnehmer auf sich gezogen hat, ist, dass Samsung die Produktion der Basis-Dies für HBM4-Stacks auf einen 4 nm Fertigungsprozess umstellen will. Normalerweise wurde eine solch fortschrittliche Technologie für die Herstellung von Mobilprozessoren und SoC-Chips verwendet. Dieser Ansatz dürfte ein bedeutender Meilenstein in der Geschichte des HBM-Speichers werden.

Zur Erinnerung: Die Speichermangel-Krise, die kürzlich auf dem Weltmarkt auftrat, wurde teilweise durch die enorme Nachfrage nach HBM-Produkten verursacht. Die Hersteller waren gezwungen, die Produktion von normalem DRAM-Speicher zu drosseln, um sich auf die Erhöhung der HBM-Kapazitäten für moderne AI-Systeme zu konzentrieren. Samsungs neue Pläne zeigen, dass sich dieser Branchentrend fortsetzen wird.