Huawei Technologies stellte auf dem IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) 2026 in Shanghai seine ehrgeizigen Pläne vor. Unternehmensvertretern zufolge werden die Hochleistungschips von Huawei innerhalb der nächsten fünf Jahre bei der Transistordichte das 1,4-nm-Fertigungsverfahren erreichen. Dies berichtet Ixbt.com berichtet .
Dieser Wert gilt als die nächste Grenze der Halbleiterindustrie. Der Vorstoß des chinesischen Giganten wird als wichtiger Schritt zur Verringerung der Abhängigkeit des Landes von ausländischer Technologie gewertet. Obwohl das Unternehmen noch keine unabhängigen Leistungstests oder Produktionsdetails veröffentlicht hat, erscheint dieses Ziel angesichts der internationalen Beschränkungen für Lithografie-Ausrüstung äußerst ambitioniert.
Zum Vergleich: Der Weltmarktführer TSMC hat bereits die Serienfertigung im 2-nm-Verfahren eingeführt und plant den Übergang zur 1,4-nm-Technologie bis 2028. Huawei seinerseits will den Mangel an moderner Ausrüstung durch innovative technische Lösungen ausgleichen.
Zuvor hatte die Führungskraft He Tingbo Pläne zur Steigerung der Leistung von Kirin 5G-Prozessoren mittels neuer Logic Folding-Technologie angekündigt. Die auf dieser Technologie basierenden Kirin SoC-Chips der nächsten Generation werden für den Herbst 2026 erwartet.
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