Samsung представила новую архитектуру памяти для систем искусственного интеллекта

Samsung представила новую архитектуру памяти для систем искусственного интеллекта

Компания Samsung Электроникс представила передовые разработки для развития систем искусственного интеллекта на конференции Футуре оф Меморй анд Стораге (ФМС) 2026. Как сообщает иксбт.ком, среди представленных концепций особенно выделяется архитектура памяти зХБМ, которая в будущем может значительно повысить скорость обработки данных. Об этом Иксбт.ком сообщает .

Сегодня стремительное развитие технологий искусственного интеллекта предъявляет повышенные требования к скорости передачи данных и объёму памяти. Представленная южнокорейским технологическим гигантом концепция зХБМ направлена на решение именно этих задач и, как ожидается, выведет современные центры обработки данных и процессы обучения нейросетей на новый уровень.

Архитектура зХБМ и её возможности

Главная особенность нового подхода зХБМ заключается в том, что высокоскоростная память размещается не рядом, как обычно, а непосредственно над ускорителем искусственного интеллекта. Такая инновационная компоновка сокращает расстояние передачи данных.

По оценкам Samsung, эта архитектура может обеспечить ряд существенных преимуществ по сравнению с поколением ХБМ5:

  • Примерно 8-кратное повышение производительности
  • Более чем 10-кратное увеличение плотности памяти
  • Трёхкратный рост энергоэффективности
  • Снижение теплового сопротивления более чем на 50%
Тем не менее представители компании отдельно подчеркнули, что эти показатели пока не являются результатами испытаний готовых устройств, а представляют собой предварительные расчётные характеристики концепции зХБМ.

В10 Бондинг В-НАНД и другие новые разработки

На конференции также был представлен прототип В10 Бондинг В-НАНД, насчитывающий более 400 слоёв. Эта технология использует схему Бондинг Вертикал (БВ). В ней массив ячеек памяти и управляющие схемы изготавливаются отдельно, а затем объединяются в единую структуру.

По данным Samsung, этот метод увеличивает плотность хранения на 58% по сравнению с поколением В9 В-НАНД, а также повышает скорость чтения, записи и обмена данными. Кроме того, на мероприятии были показаны концепция зНАНД-О для периферийных систем искусственного интеллекта, ХБМ4Э, ХБМ5, ЛПДДР5Кс-ПИМ, а также корпоративные SSD ПМ1763 и БМ1773.

Пока Samsung не сообщила точные сроки коммерческого выпуска этих перспективных разработок, их стоимость и совместимость с ускорителями искусственного интеллекта. Поэтому презентация представляет собой демонстрацию технологий будущего, а не готовых серийных продуктов.

Добавьте сайт Zamin.uz в GoogleЧитайте «Zamin» в Telegram!
Обсудите с Zamin AIПроанализируйте новость, получите полезные ответы

Комментарии 0

Похожие новости