Samsung резко увеличит производство памяти ХБМ4 в следующем году

Стремительное развитие технологий AI и постоянно растущий спрос на ускорители совершают новый поворот на рынке полупроводников. Согласно данным иксбт.ком, компания Samsung планирует увеличить объемы производства высокопроизводительной памяти типа ХБМ4 в 2,5 раза в следующем году. Этот шаг послужит дальнейшему расширению инфраструктуры AI на мировом технологическом рынке. Об этом сообщает Иксбт.ком.

В настоящее время новое поколение современных АИ-ускорителей опирается именно на технологию ХБМ. Согласно источнику, хотя точные цифры пока не разглашаются, Samsung намерена увеличить закупки стеклянных подложек, необходимых для производства памяти, примерно в 2,5 раза в следующем году. Следовательно, ожидается, что объем выпуска самой памяти вырастет на такую же величину.

Технологические новинки и техпроцесс 4 нм

Еще один важный аспект, привлекший внимание участников рынка, заключается в том, что Samsung планирует перевести производство базовых кристаллов для стеков ХБМ4 на 4 нм технологический процесс. Обычно такая передовая технология применялась для выпуска мобильных процессоров и чипов СоК (система на кристалле). Ожидается, что такой подход станет значительным шагом в истории памяти ХБМ.

Напомним, что возникший в последнее время на мировом рынке кризис дефицита памяти был частично вызван именно огромным спросом на продукты ХБМ. Производители были вынуждены сократить выпуск обычной памяти DRAM, сосредоточившись на увеличении объемов ХБМ для современных систем AI. Новые планы Samsung показывают, что эта тенденция в отрасли сохранится.