Samsung выделила половину мощностей 4 нм для базовых кристаллов ХБМ4

Южнокорейский технологический гигант Samsung перенаправил значительную часть своих производственных мощностей 4 нм на выпуск памяти. Как сообщает издание ЗДНет, более половины, а точнее 50-60% этих передовых мощностей, выделено под производство базовых кристаллов для памяти нового поколения ХБМ4. Этот стратегический шаг обусловлен резким спросом на компоненты для систем AI и высокопроизводительных вычислений. Об этом сообщает Иксбт.ком сообщает .

Известно, что Samsung является одним из лидеров по поставкам чипов, основанных на нормах 2 нм. Однако такие СоК пока остаются единичными, а основная полупроводниковая продукция компании производится по 4 нм технологии. В настоящее время большая часть этих мощностей была адаптирована под инфраструктуру, необходимую для создания современных модулей памяти.

Архитектура ХБМ4 и базовые кристаллы

Память ХБМ (Хигх Бандвидт Меморй) представляет собой специальный стек, состоящий из нескольких чипов DRAM. В основе этой сложной структуры лежит базовый кристалл. Хотя сама память создается с помощью совершенно иных методов и технологических процессов, базовый кристалл, являющийся её основой, производится на тех же линиях, что и обычные логические СоК чипы.

Именно поэтому Samsung задействовала более половины своих общих мощностей 4 нм предыдущего поколения для этой задачи. Согласно источнику, общая мощность соответствующих производственных линий составляет 30 тысяч кремниевых пластин в месяц. Это позволяет компании стабильно покрывать потребности в новейших типах модулей памяти.

По мнению экспертов, стремительное развитие технологий AI и расширение дата-центров усиливают интеграцию памяти и процессоров. Перераспределение линий 4 нм в пользу базовых кристаллов ХБМ4 со стороны Samsung связано с необходимостью быстрой адаптации к рыночным требованиям. В результате компания стремится укрепить свои позиции в сегменте высокоскоростной памяти.