Samsung stellt neue Speicherarchitektur für KI-Systeme vor

Samsung Electronics präsentierte auf der Konferenz Future of Memory and Storage (FMS) 2026 fortschrittliche Entwicklungen zur Weiterentwicklung von Systemen für künstliche Intelligenz. Laut ixbt.com ist die zHBM-Speicherarchitektur das bemerkenswerteste der vorgestellten neuen Konzepte. Sie könnte die Datenverarbeitungsgeschwindigkeit künftig drastisch erhöhen. Darüber berichtet Ixbt.com .

Die rasante Entwicklung von Technologien für künstliche Intelligenz stellt immer höhere Anforderungen an Datenübertragungsgeschwindigkeit und Speicherkapazität. Das vom südkoreanischen Technologiekonzern vorgestellte zHBM-Konzept soll genau diese Herausforderungen lösen und moderne Rechenzentren sowie das Training neuronaler Netze auf eine neue Stufe heben.

Die zHBM-Architektur und ihre Möglichkeiten

Das wichtigste Merkmal des neuen zHBM-Ansatzes besteht darin, dass der Hochgeschwindigkeitsspeicher direkt auf dem Beschleuniger für künstliche Intelligenz platziert wird, statt wie üblich daneben. Diese innovative Anordnung verkürzt die Übertragungsstrecke für Daten.

Nach Einschätzung von Samsung könnte diese Architektur gegenüber der HBM5-Generation mehrere bedeutende Vorteile bieten:

• Etwa 8-fach höhere Leistung
• Mehr als eine 10-fache Steigerung der Speicherdichte
• Eine 3-fache Steigerung der Energieeffizienz
• Eine Verringerung des Wärmewiderstands um mehr als 50 Prozent

Dennoch betonten Unternehmensvertreter, dass es sich bei diesen Werten noch nicht um Testergebnisse fertiger Geräte, sondern um vorläufige Berechnungen für das zHBM-Konzept handelt.

V10 Bonding V-NAND und weitere neue Entwicklungen

Auf der Konferenz wurde außerdem ein Prototyp des V10 Bonding V-NAND mit mehr als 400 Schichten gezeigt. Die Technologie nutzt ein Bonding-Vertical-(BV)-Schema. Dabei werden das Speicherzellen-Array und die Steuerschaltungen getrennt gefertigt und anschließend zu einer einheitlichen Struktur verbunden.

Laut Samsung erhöht dieses Verfahren die Speicherdichte gegenüber der V9-V-NAND-Generation um 58 Prozent und verbessert die Lese-, Schreib- und Datenübertragungsgeschwindigkeit. Darüber hinaus wurden auf der Veranstaltung das zNAND-O-Konzept für Edge-Systeme mit künstlicher Intelligenz, HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM sowie die Enterprise-SSDs PM1763 und BM1773 vorgestellt.

Samsung machte bislang keine konkreten Angaben zum Zeitplan für die kommerzielle Einführung, zum Preis oder zur Kompatibilität dieser vielversprechenden Entwicklungen mit Beschleunigern für künstliche Intelligenz. Die Präsentation zeigt daher Zukunftstechnologien und keine fertigen Serienprodukte.