Samsung aumentará drásticamente la producción de memoria HBM4 el próximo año

El rápido desarrollo de las tecnologías de IA y la demanda incesante de aceleradores están marcando un punto de inflexión en el mercado de los semiconductores. Según ixbt.com, Samsung planea aumentar el volumen de producción de su memoria de alto rendimiento HBM4 hasta 2,5 veces el próximo año. Este paso servirá para ampliar aún más la infraestructura de IA en el mercado tecnológico global. Así lo informa Ixbt.com informa .

Actualmente, la nueva generación de aceleradores de IA se basa precisamente en la tecnología HBM. Según la fuente, aunque las cifras exactas aún no se han revelado, Samsung tiene la intención de aumentar las compras de sustratos de vidrio necesarios para la producción de memoria aproximadamente 2,5 veces el próximo año. Por lo tanto, se espera que el volumen de producción de la memoria en sí aumente en la misma cantidad.

Noticias tecnológicas y proceso de 4 nm

Otro aspecto importante que ha llamado la atención de los participantes del mercado es que Samsung tiene como objetivo trasladar la producción de los cristales base de las pilas HBM4 a un proceso tecnológico de 4 nm. Por lo general, esta tecnología avanzada se utilizaba para la producción de procesadores móviles y chips SoC (System on Chip). Se espera que este enfoque sea un paso significativo en la historia de las memorias HBM.

Recordemos que la reciente crisis de escasez de memoria en el mercado mundial fue causada en parte por la enorme demanda de productos HBM. Los fabricantes se vieron obligados a reducir la producción de memoria DRAM estándar al centrarse en aumentar el volumen de HBM para los sistemas de IA modernos. Los nuevos planes de Samsung muestran que esta tendencia en la industria continuará.