Samsung augmentera considérablement la production de mémoire HBM4 l'année prochaine

Le développement rapide des technologies d'IA et la demande croissante en accélérateurs marquent un tournant sur le marché des semi-conducteurs. Selon ixbt.com, Samsung prévoit d'augmenter le volume de production de sa mémoire haute performance HBM4 de 2,5 fois l'année prochaine. Cette mesure contribuera à l'expansion de l'infrastructure d'IA sur le marché technologique mondial. C'est ce que rapporte Ixbt.com rapporte .

Actuellement, la nouvelle génération d'accélérateurs d'IA repose sur la technologie HBM. Selon la source, bien que les chiffres exacts n'aient pas encore été divulgués, Samsung a l'intention d'augmenter ses achats de substrats en verre nécessaires à la production de mémoire d'environ 2,5 fois l'année prochaine. Par conséquent, le volume de production de la mémoire elle-même devrait augmenter dans les mêmes proportions.

Actualités technologiques et processus 4 nm

Un autre aspect important qui a attiré l'attention des acteurs du marché est que Samsung vise à transférer la production des cristaux de base des piles HBM4 vers un processus technologique de 4 nm. Habituellement, cette technologie avancée était utilisée pour la production de processeurs mobiles et de puces SoC (System on Chip). Cette approche devrait constituer une étape importante dans l'histoire des mémoires HBM.

Rappelons que la récente crise de pénurie de mémoire sur le marché mondial était en partie due à l'énorme demande de produits HBM. Les fabricants ont été contraints de réduire la production de mémoire DRAM standard en se concentrant sur l'augmentation du volume de HBM pour les systèmes d'IA modernes. Les nouveaux plans de Samsung montrent que cette tendance industrielle va se poursuivre.