Китайская компания CXMT начала производство собственной памяти ХБМ3Э

В условиях, когда введенные США санкции ограничивают доступ Китая к передовым микрочипам, китайская компания ЧангКсин Меморй Течнологиес (CXMT) сделала важный шаг. Согласно данным иксбт.ком, предприятие запустило предсерийное производство памяти ХБМ3Э, которая пользуется огромным спросом в ускорителях AI и высокопроизводительных вычислительных системах. Об этом сообщает Иксбт.ком .

На текущем этапе компания проверяет стабильность нового технологического процесса, обеспечивает выход годных кристаллов и проводит работы по корпусировке многослойной памяти. Также ведется тестирование готовой продукции на соответствие требуемым характеристикам.

Планы по расширению производственных мощностей

Если освоение технологического процесса завершится успешно, переход к массовому производству ожидается уже в ближайшие недели. Это может стать важным поворотным моментом для полупроводниковой промышленности Китая.

Наряду с процессами тестирования и подготовки, CXMT значительно расширяет свою производственную базу. По имеющимся данным, к концу года общая мощность предприятий компании должна достичь уровня обработки около 350 тысяч кремниевых пластин в месяц. В ближайшие годы запланировано дальнейшее расширение.

Технические возможности и потенциал памяти

Хотя компания пока не раскрыла точные технические характеристики своей памяти ХБМ3Э, стандартные показатели для этого поколения известны. Обычно в таких решениях ХБМ используется 1024-битный интерфейс на стек, а скорость передачи данных может составлять около 9,6 Gbps на контакт и выше.

В частности, при скорости 9,6 Gbps пропускная способность одного стека может достигать 1,2 терабайта в секунду. При этом объем памяти определяется количеством используемых кристаллов DRAM и числом слоев.

Например, при использовании 24-гигабитных кристаллов восьмислойный стек способен обеспечить объем памяти 24 GB. Подобные высокие показатели имеют критическое значение для современных вычислительных систем.