Samsung a annoncé le début des livraisons des premiers échantillons de mémoire HBM4E à 12 couches de l'industrie à des clients mondiaux majeurs. Cette nouvelle génération de mémoire marque la prochaine étape de la gamme HBM de l'entreprise et constitue la suite logique de la technologie HBM4 dont Samsung a commencé la production de masse plus tôt cette année. Selon Ixbt.com rapporte.
Selon les représentants de Samsung, la mémoire HBM4E est conçue pour accélérer considérablement les performances des systèmes d'intelligence artificielle (IA) et des grands modèles de langage (LLM). Cette technologie offre une vitesse de transfert de données stable de 14 Gbit/s, avec la possibilité d'augmenter ce chiffre jusqu'à 16 Gbit/s. La bande passante par pile atteint 3,6 To/s.
La version actuelle à 12 couches offre une capacité de 48 Go, soit une augmentation de plus de 30 % par rapport à la génération précédente. À l'avenir, l'entreprise prévoit d'élargir cette gamme avec des configurations de 32 Go et 64 Go, ouvrant de nouvelles opportunités pour les systèmes informatiques haute performance.
Le fabricant souligne que l'efficacité énergétique a été augmentée de 16 % grâce à l'optimisation de l'architecture et du packaging. Les propriétés de dissipation thermique ont également été améliorées de plus de 14 % par rapport à la génération précédente. Samsung prévoit de lancer la production de masse de la mémoire HBM4E selon les calendriers des clients une fois la phase de livraison pilote terminée.
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