Samsung dévoile une nouvelle architecture mémoire pour les systèmes d’intelligence artificielle

Samsung Electronics a présenté ses développements avancés destinés à faire progresser les systèmes d’intelligence artificielle lors de la conférence Future of Memory and Storage (FMS) 2026. Selon ixbt.com, l’une des nouvelles conceptions les plus remarquables est l’architecture mémoire zHBM, qui pourrait à l’avenir augmenter considérablement la vitesse de traitement des données. Ixbt.com rapporte .

Aujourd’hui, le développement rapide des technologies d’intelligence artificielle impose des exigences élevées en matière de vitesse de transfert des données et de capacité mémoire. La conception zHBM présentée par le géant technologique sud-coréen vise précisément à résoudre ces problèmes et devrait faire entrer les centres de données modernes ainsi que l’entraînement des réseaux neuronaux dans une nouvelle ère.

Architecture zHBM et ses capacités

La principale particularité de la nouvelle approche zHBM est qu’elle place la mémoire haute vitesse non pas côte à côte comme habituellement, mais directement au-dessus de l’accélérateur d’intelligence artificielle. Cette composition innovante contribue à réduire la distance de transfert des données.

Selon les estimations de Samsung, cette architecture pourrait offrir plusieurs avantages majeurs par rapport à la génération HBM5 :

• Atteindre des performances environ 8 fois supérieures
• Augmenter la densité mémoire de plus de 10 fois
• Multiplier par 3 l’efficacité énergétique
• Réduire la résistance thermique de plus de 50 %

Les représentants de l’entreprise ont toutefois souligné que ces chiffres ne correspondaient pas encore aux résultats de tests de produits finis, mais aux premières estimations théoriques de la conception zHBM.

V10 Bonding V-NAND et autres nouveaux développements

La conférence a également présenté un prototype de V10 Bonding V-NAND doté de plus de 400 couches. Cette technologie utilise le procédé Bonding Vertical (BV). La matrice de cellules mémoire et les circuits de contrôle sont fabriqués séparément, puis réunis en une structure unique.

Selon Samsung, cette méthode augmente de 58 % la densité de stockage par rapport à la génération V9 V-NAND et améliore les vitesses de lecture, d’écriture et d’échange des données. L’événement a également permis de découvrir la conception zNAND-O destinée aux systèmes d’intelligence artificielle en périphérie, ainsi que HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM et les disques d’entreprise PM1763 et BM1773.

Pour l’instant, Samsung n’a fourni aucune information précise sur le calendrier de commercialisation, le prix ou la compatibilité de ces développements prometteurs avec les accélérateurs d’intelligence artificielle. Cette présentation constitue donc une démonstration de technologies futures plutôt qu’une présentation de produits finis fabriqués en série.