Компания Samsung объявила о начале поставок первым крупным глобальным клиентам образцов 12-слойной памяти HBM4E. Память нового поколения является следующим этапом в линейке HBM компании и логическим продолжением технологии HBM4, массовое производство которой Samsung начала ранее в этом году. Об этом сообщает Ixbt.com сообщает .
По словам представителей Samsung, память HBM4E предназначена для значительного ускорения работы систем искусственного интеллекта (AI) и больших языковых моделей (LLM). Эта технология обеспечивает стабильную скорость передачи данных 14 Гбит/с с возможностью увеличения до 16 Гбит/с. Пропускная способность на каждый стек достигает 3,6 ТБ/с.
Текущая 12-слойная версия предлагает объем 48 ГБ, что на 30 процентов больше по сравнению с предыдущим поколением. В будущем компания планирует расширить линейку конфигурациями объемом 32 ГБ и 64 ГБ. Это открывает новые возможности для высокопроизводительных вычислительных систем.
Производитель отмечает, что за счет оптимизации архитектуры и упаковки энергоэффективность была повышена на 16 процентов. Также характеристики теплоотвода улучшились более чем на 14 процентов по сравнению с предыдущим поколением. Samsung планирует начать массовое производство памяти HBM4E после завершения этапа тестовых поставок в соответствии с графиками заказчиков.
Читайте «Zamin» в Telegram!
