Samsung, 4 nm kapasitesinin yarısını HBM4 temel kalıplarına ayırdı

Güney Koreli teknoloji devi Samsung, 4 nm üretim kapasitesinin önemli bir kısmını bellek üretimine yönlendirdi. ZDNet'in haberine göre, bu gelişmiş kapasitenin yarısından fazlası, yani yüzde 50-60'ı, yeni nesil HBM4 bellekler için temel kalıpların (base die) hazırlanmasına ayrıldı. Bu stratejik adım, AI ve yüksek performanslı bilgi işlem sistemlerine yönelik bileşen pazarındaki yoğun taleple açıklanıyor. Bu konuda Ixbt.com haber veriyor.

Bilindiği üzere Samsung, 2 nm standartlarına dayalı çiplerin tedarikinde öncülerden biri olarak kabul ediliyor. Ancak bu tür SoC (System on Chip) çözümleri henüz sınırlı kalırken, şirketin ana yarı iletken ürünleri 4 nm teknolojisi kullanılarak üretilmeye devam ediyor. Günümüzde bu kapasitelerin büyük bir kısmı, modern bellek modüllerini oluşturmak için gerekli altyapıya göre uyarlandı.

HBM4 mimarisi ve temel kalıplar

HBM (High Bandwidth Memory) belleği, birden fazla DRAM çipinden oluşan özel bir yığın yapısını temsil eder. Bu karmaşık yapının temelinde ise bir ana kalıp (base die) bulunur. Belleğin kendisi tamamen farklı yöntemler ve teknolojik süreçlerle üretilse de, temelini oluşturan bu kalıp, standart mantıksal SoC çiplerinin üretildiği hatlarda üretilmektedir.

Tam da bu nedenle Samsung, önceki nesil 4 nm teknolojik sürecine ait toplam kapasitesinin yarısından fazlasını bu göreve seferber etti. Kaynağa göre, ilgili üretim hatlarının toplam kapasitesi ayda 30 bin adet silikon plaka oluşturuyor. Bu durum, şirketin en yeni nesil bellek modüllerine olan ihtiyacı istikrarlı bir şekilde karşılamasını sağlıyor.

Uzmanlara göre, AI teknolojilerinin hızla gelişmesi ve veri merkezlerinin genişlemesi, bellek ve işlemcilerin birbirine entegrasyonunu daha da güçlendiriyor. Samsung'un 4 nm hatlarını HBM4 temel kalıpları lehine tahsis etmesi, pazar taleplerine hızlı uyum sağlama gerekliliğiyle ilgilidir. Sonuç olarak şirket, yüksek hızlı bellek segmentindeki konumunu daha da güçlendirmeyi hedefliyor.