Samsung ha anunciado el inicio de los envíos de las primeras muestras de memoria HBM4E de 12 capas de la industria a importantes clientes globales. Esta nueva generación de memoria marca el siguiente paso en la línea HBM de la compañía y es la continuación lógica de la tecnología HBM4 que Samsung comenzó a producir en masa a principios de este año. Según Ixbt.com informa.
Según los representantes de Samsung, la memoria HBM4E está diseñada para acelerar significativamente el rendimiento de los sistemas de inteligencia artificial (IA) y los grandes modelos de lenguaje (LLM). Esta tecnología proporciona una velocidad de transferencia de datos estable de 14 Gbps, con la posibilidad de aumentar esta cifra hasta los 16 Gbps. El ancho de banda por pila alcanza los 3,6 TB/s.
La versión actual de 12 capas ofrece una capacidad de 48 GB, lo que supone un aumento de más del 30 por ciento respecto a la generación anterior. En el futuro, la compañía planea ampliar esta línea con configuraciones de 32 GB y 64 GB, abriendo nuevas posibilidades para los sistemas informáticos de alto rendimiento.
El fabricante destaca que la eficiencia energética se ha incrementado en un 16 por ciento gracias a la optimización de la arquitectura y el empaquetado. Las propiedades de disipación de calor también se han mejorado en más de un 14 por ciento en comparación con la generación anterior. Samsung tiene la intención de comenzar la producción en masa de la memoria HBM4E de acuerdo con los cronogramas de los clientes una vez finalizada la fase de entrega piloto.
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