Samsung presenta una nueva arquitectura de memoria para sistemas de inteligencia artificial

Samsung Electronics presentó sus desarrollos avanzados destinados a impulsar los sistemas de inteligencia artificial en la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) 2026. Según ixbt.com, una de las nuevas propuestas más destacadas es la arquitectura de memoria zHBM, que en el futuro podría aumentar considerablemente la velocidad de procesamiento de datos. Ixbt.com informa .

En la actualidad, el rápido desarrollo de las tecnologías de inteligencia artificial está imponiendo grandes exigencias a la velocidad de transferencia de datos y la capacidad de memoria. El concepto zHBM presentado por el gigante tecnológico surcoreano busca resolver precisamente estos problemas y podría llevar los centros de datos modernos y los procesos de entrenamiento de redes neuronales a una nueva etapa.

Arquitectura zHBM y sus capacidades

La principal característica del nuevo enfoque zHBM es que coloca la memoria de alta velocidad no una junto a otra, como es habitual, sino directamente sobre el acelerador de inteligencia artificial. Esta composición innovadora ayuda a reducir la distancia de transferencia de datos.

Según las estimaciones de Samsung, esta arquitectura podría ofrecer varias ventajas importantes frente a la generación HBM5:

• Lograr un rendimiento aproximadamente 8 veces superior
• Aumentar la densidad de memoria más de 10 veces
• Triplicar la eficiencia energética
• Reducir la resistencia térmica en más de un 50 %

No obstante, los representantes de la empresa destacaron que estas cifras todavía no corresponden a resultados de pruebas de dispositivos terminados, sino a las primeras estimaciones teóricas del concepto zHBM.

V10 Bonding V-NAND y otros nuevos desarrollos

La conferencia también mostró un prototipo de V10 Bonding V-NAND con más de 400 capas. Esta tecnología utiliza el esquema Bonding Vertical (BV). La matriz de celdas de memoria y los circuitos de control se fabrican por separado y después se integran en una única estructura.

Según Samsung, este método aumenta un 58 % la densidad de almacenamiento frente a la generación V9 V-NAND y mejora las velocidades de lectura, escritura e intercambio de datos. Además, el evento presentó el concepto zNAND-O para sistemas de inteligencia artificial periférica, así como HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM y las unidades SSD empresariales PM1763 y BM1773.

Por ahora, Samsung no ha proporcionado información concreta sobre los plazos de lanzamiento comercial, el precio ni la compatibilidad de estos prometedores desarrollos con los aceleradores de inteligencia artificial. Por ello, la presentación representa una demostración de tecnologías futuras, no de productos terminados de producción en serie.