Samsung alloue la moitié de ses capacités 4 nm aux puces de base HBM4

Le géant technologique sud-coréen Samsung a réorienté une part importante de ses capacités de processus 4 nm vers la production de mémoire. Selon ZDNet, plus de la moitié de ces capacités avancées, précisément 50 à 60 %, est désormais dédiée à la fabrication de puces de base pour la nouvelle génération de mémoire HBM4. Cette décision stratégique s'explique par la demande croissante de composants destinés à l'AI et aux systèmes de calcul haute performance. C'est ce que rapporte Ixbt.com rapporte .

Il est connu que Samsung est l'un des leaders dans la livraison de puces basées sur les normes 2 nm. Cependant, ce type de SoC reste encore rare, et les principaux produits semi-conducteurs de l'entreprise sont fabriqués via la technologie 4 nm. Actuellement, une grande partie de ces capacités a été adaptée à l'infrastructure nécessaire à la création de modules de mémoire modernes.

Architecture HBM4 et puces de base

La mémoire HBM (High Bandwidth Memory) consiste en un empilement spécial de plusieurs puces DRAM. La base de cette structure complexe repose sur une puce de base. Bien que la mémoire elle-même soit créée selon des méthodes et des processus technologiques distincts, sa base est produite sur les mêmes lignes que les puces SoC logiques classiques.

C'est précisément pour cette raison que Samsung a mobilisé plus de la moitié de ses capacités totales liées à son processus 4 nm de génération précédente pour cette tâche. Selon la source, la capacité totale des lignes de production concernées est de 30 000 plaquettes de silicium par mois. Cela permet à l'entreprise de répondre de manière stable aux besoins en modules de mémoire de dernière génération.

Selon les experts, le développement rapide des technologies AI et l'expansion des centres de données renforcent l'intégration entre la mémoire et les processeurs. L'allocation par Samsung de ses lignes 4 nm aux puces de base HBM4 est liée à la nécessité de s'adapter rapidement aux exigences du marché. En conséquence, l'entreprise vise à renforcer sa position dans le segment de la mémoire haute vitesse.