Премиум смартфонларда буғланиш камераларидан фойдаланиш одатий ҳолга айланган бўлса-да, Samsung компанияси янада илгарилаб кетди. Янги Exynos 2600 процессорида Жанубий Корея гиганти Ҳеат Пасс Block (HPБ) технологиясини қўллади. Ушбу технология иссиқликни самаралироқ чиқариш учун мис радиаторни бевосита СоК кристалининг устига ўрнатишни кўзда тутади. Амалий тестлар шуни кўрсатдики, бу ёндашув ҳатто суюқ азот ёрдамида совутиладиган тизимлардан ҳам устунроқ натижа бермоқда. Бу ҳақда Ixbt.com хабар беради.
Машҳур техноблогер Геекерван ўтказган тадқиқотлар Samsung ишланмасининг самарадорлигини исботлади. Ҳозирда Apple ва бошқа ишлаб чиқарувчилар ПоП (Паккаге-он-Паккаге) технологиясидан фойдаланади, яни оператив хотира (ДRAM) процессор кристалининг устига қатлам қилиб жойлаштирилади. Бу жойни тежаса-да, хотирадан чиқаётган иссиқлик процессорни қизитиб юборади ва унинг унумдорлигини пасайтиради (троттлинг). Геекерван суюқ азот ёрдамида Snapdragon 8 Элите Ген 5 чипини совутишга уриниб кўрди, бироқ Qualcomm флагмани ҳатто ўта паст ҳароратда ҳам 4,61 ГГс частотани барқарор ушлаб тура олмади.
Шу билан бирга, Exynos 2600 чипидаги HPБ технологияси иссиқлик назоратида анча юқори самарадорлик кўрсатди. Гарчи Galaxy S26+ смартфони узоқ вақт юклама остида бироз қизиган бўлса-да, бу қурилмадаги буғланиш камерасининг кичиклиги билан изоҳланади. Муаммонинг ечими оддий бўлиб чиқди: смартфон орқасига оддий ечиладиган вентилятор ўрнатиш орқали Exynos 2600 ўзининг максимал қувватини тўлиқ тиклай олади.
Samsung муваффақияти саноатнинг бошқа иштирокчиларини ҳам режаларини қайта кўриб чиқишга мажбур қилди. Маълумотларга кўра, Qualcomm ўзининг 2 нанометрли Snapdragon 8 Элите Ген 6 Pro чипида шунга ўхшаш ечимни қўлламоқчи. Apple ва MediaTek ҳам келажакдаги маҳсулотларида ушбу технологиядан нусха олиши кутилмоқда. Samsung эса тўхтаб қолмоқчи эмас: кейинги Exynos 2700 авлодида процессор ва хотира ёнма-ён жойлашадиган СБС (Side-by-Side) технологияси жорий этилади.
“Zamin”ни Telegram'да ўқинг!
