Çinli CXMT şirketi kendi HBM3E belleğinin üretimine başladı

ABD tarafından uygulanan yaptırımların Çin'i gelişmiş mikroçiplerden mahrum bıraktığı bir ortamda, Çinli ChangXin Memory Technologies (CXMT) önemli bir adım attı. ixbt.com'un haberine göre şirket, yapay zeka hızlandırıcıları ve yüksek performanslı bilgi işlem sistemlerinde oldukça talep gören HBM3E belleğinin ön seri üretimine başladı. Bu konuda Ixbt.com haber veriyor.

Şu aşamada şirket, yeni teknolojik sürecin kararlılığını kontrol etmek, verimli kristal çıkışını sağlamak ve çok katmanlı bellek paketleme işlemlerini gerçekleştirmekle meşgul. Ayrıca, hazır ürünlerin gerekli teknik özelliklere uygunluğu test ediliyor.

Üretim kapasitesini genişletme planları

Teknolojik sürecin benimsenmesi başarıyla tamamlanırsa, önümüzdeki haftalarda seri üretime geçilmesi bekleniyor. Bu, Çin yarı iletken endüstrisi için önemli bir dönüm noktası olabilir.

Test ve hazırlık süreçlerinin yanı sıra, CXMT üretim altyapısını da önemli ölçüde genişletiyor. Kaynaklara göre, yıl sonuna kadar şirketin tesislerinin toplam kapasitesinin ayda yaklaşık 350 bin silikon plaka işleme seviyesine ulaşması bekleniyor. Gelecek yıllarda ise daha fazla genişletme çalışmaları planlanıyor.

Teknik yetenekler ve bellek potansiyeli

Şirket, HBM3E belleğinin kesin teknik özelliklerini henüz açıklamamış olsa da, bu nesle özgü standart göstergeler biliniyor. Genellikle bu tür HBM çözümlerinde yığın başına 1024-bit arayüz kullanılır ve veri aktarım hızı her pin için yaklaşık 9,6 Gbps veya daha yüksek olabilir.

Özellikle 9,6 Gbps hızında çalışırken, tek bir yığının bant genişliği saniyede 1,2 terabayta kadar çıkabilir. Bellek kapasitesi ise kullanılan DRAM kristalleri ve katman sayısına göre belirlenir.

Örneğin, 24 gigabitlik kristaller kullanıldığında, sekiz katmanlı bir yığın 24 GB kapasiteli bellek sağlayabilir. Bu tür yüksek performans değerleri, modern bilgi işlem sistemleri için kritik öneme sahiptir.