Xitoy Fanlar akademiyasining Ninbo materialshunoslik va muhandislik instituti tadqiqotchilari yangi avlod perovksitli quyosh batareyalarini ishlab chiqishda muhim yutuqqa erishdilar. Olimlar qattiq tandem elementlarning samaradorligini 30 foizlik psixologik chegaradan oshirishga muvaffaq boʻlishdi. Bu haqda Ixbt.com xabar beradi.
Ushbu yutuqqa erishishda Lyuis kislotalari va asoslari nazariyasiga asoslangan maxsus kimyoviy qoʻshimchalar tizimi qoʻllanildi. Bu usul perovksit qatlamlarida kristallarning shakllanishini sinxronlashtirish, nuqsonlarni kamaytirish hamda strukturaning barqarorligini taʼminlash imkonini berdi.
Natijada, qattiq monolit tandem quyosh elementi 30,3 foizli sertifikatlangan foydali ish koeffitsiyentini (FIK) qayd etdi. Moslashuvchan (egiluvchan) versiya esa 28,0 foiz natija koʻrsatdi. Taqqoslash uchun, optimallashtirishdan avval bu koʻrsatkichlar mos ravishda 20,1 va 23,3 foizni tashkil etgan edi.
Tadqiqotchilar qurilmalarning chidamliligiga ham alohida eʼtibor qaratishdi. Qattiq element 1000 soatlik uzluksiz ishlashdan soʻng oʻz samaradorligining 92 foizini saqlab qoldi. Moslashuvchan versiya esa 10 ming marta bukib-yozish siklidan keyin ham 95 foizdan ortiq samaradorlikni namoyish etdi.
Yangi texnologiya kelgusida moslashuvchan elektronika, yengil avtonom quvvat manbalari va portativ quyosh tizimlarida keng qoʻllanilishi kutilmoqda. Ishlab chiquvchilar ushbu kristallanishni boshqarish usuli kelajakda yanada samaraliroq quyosh elementlarini yaratish uchun universal yechim boʻlishiga ishonishmoqda.
“Zamin”ni Telegramʻda oʻqing!
