La société chinoise CXMT a commencé la production de sa mémoire HBM3E

La société chinoise CXMT a commencé la production de sa mémoire HBM3E

Dans un contexte où les sanctions imposées par les États-Unis privent la Chine de puces avancées, l'entreprise chinoise ChangXin Memory Technologies (CXMT) a franchi une étape importante. Selon ixbt.com, l'entreprise a lancé la pré-production de mémoire HBM3E, très demandée pour les accélérateurs AI et les systèmes de calcul haute performance. C'est ce que rapporte Ixbt.com dans un rapport.

À ce stade, l'entreprise vérifie la stabilité du nouveau processus technologique, assure le rendement des cristaux utilisables et effectue l'encapsulation de la mémoire multicouche. De plus, la conformité des produits finis aux caractéristiques requises est en cours de test.

Plans d'expansion des capacités de production

Si l'adoption du processus technologique est couronnée de succès, le passage à une production à grande échelle est attendu dans les prochaines semaines. Cela pourrait marquer un tournant majeur pour l'industrie chinoise des semi-conducteurs.

Parallèlement aux processus de test et de préparation, CXMT étend considérablement sa base de production. Selon des sources, d'ici la fin de l'année, la capacité totale des usines de l'entreprise devrait atteindre environ 350 000 plaquettes de silicium traitées par mois. Des extensions supplémentaires sont prévues pour les années à venir.

Capacités techniques et potentiel de mémoire

Bien que l'entreprise n'ait pas encore divulgué les spécifications techniques exactes de sa mémoire HBM3E, les indicateurs standard de cette génération sont connus. Habituellement, ces solutions HBM utilisent une interface 1024-bit par pile, et la vitesse de transfert de données peut atteindre environ 9,6 Gbps par contact, voire plus.

En particulier, à une vitesse de 9,6 Gbps, la bande passante d'une seule pile peut atteindre 1,2 téraoctet par seconde. La capacité de mémoire est déterminée par les cristaux DRAM utilisés et le nombre de couches.

Par exemple, avec des cristaux de 24 gigabits, une pile à huit couches est capable de fournir 24 GB de mémoire. De telles performances sont cruciales pour les systèmes de calcul modernes.

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