Инженер, укравший технологии Samsung, приговорен к 7 годам тюрьмы

В Южной Корее огласили приговор по громкому делу о промышленном шпионаже в полупроводниковой отрасли: бывший сотрудник Samsung приговорен к 7 годам лишения свободы. По данным издания Маеил Бусинесс, это дело наглядно показывает, насколько острыми являются конкуренция на современном рынке микрочипов и вопросы защиты интеллектуальной собственности. Об этом сообщает Иксбт.ком .

Сообщается, что инженер, проработавший в Samsung 28 лет, а затем перешедший в китайскую компанию ЧангКсин Меморй Течнологиес (CXMT), был признан виновным в незаконной передаче секретных документов. Согласно материалам расследования, речь идет о технологическом документе Прокесс Рекипе План (ПРП), который включает около 600 этапов производства памяти DRAM.

Подробности технологической кражи

По словам бывшего инженера, выступавшего в суде в качестве обвиняемого, получение этих данных изначально было частью стратегии CXMT. Он отметил, что на начальном этапе работы китайская компания не обладала достаточной научно-производственной инфраструктурой для разработки технологии с нуля и поэтому опиралась на документы Samsung.

По мнению экспертов, технологический рецепт производства полупроводников, хотя и не позволяет напрямую скопировать процесс по одному документу, обладает чрезвычайно высокой ценностью. В таких документах подробно описываются последовательность сотен операций, параметры нанесения слоев материалов, а также показатели температуры и давления.

Китайская полупроводниковая отрасль и последствия

Доступ к этим секретным данным позволяет значительно сократить число дорогостоящих экспериментов и существенно ускорить разработку собственного технологического процесса. Обычно создание нового процесса DRAM у опытных производителей занимает от трех до пяти лет, а для новичков этот срок может быть еще больше.

Следует также отметить, что предоставленного документа ПРП недостаточно для полного воспроизведения технологии: для этого требуются дополнительные сведения, включая архитектуру транзисторов, фотошаблоны и проектные нормы. Тем не менее в 2019 году CXMT наладила массовое производство памяти ДДР4 по собственной 22-нанометровой технологии, а в 2023 году начала выпуск DRAM по 18-нанометровому процессу.

Сегодня CXMT является крупнейшим производителем DRAM в Китае и активно конкурирует с такими мировыми гигантами, как Samsung, СК хйникс и Микрон. Этот скандал вновь вывел вопросы технологической безопасности и кадровой политики в азиатском регионе в центр глобального обсуждения.