Premium akıllı telefonlarda buhar odalarının kullanımı standart hale gelmiş olsa da, Samsung bir adım daha ileri gitti. Yeni Exynos 2600 işlemcisinde Güney Koreli dev, Heat Pass Block (HPB) teknolojisini kullandı. Bu teknoloji, ısının daha verimli tahliyesi için bakır radyatörün doğrudan SoC kristalinin üzerine yerleştirilmesini öngörüyor. Pratik testler, bu yaklaşımın sıvı azotla soğutulan sistemlerden bile daha iyi sonuç verdiğini gösterdi. Bu konuda Ixbt.com bilgi veriyor.
Ünlü teknoloji blog yazarı Geekerwan tarafından yapılan araştırmalar, Samsung'un geliştirdiği çözümün verimliliğini kanıtladı. Şu anda Apple ve diğer üreticiler, RAM'in (DRAM) işlemci kristalinin üzerine katman olarak yerleştirildiği PoP (Package-on-Package) teknolojisini kullanıyor. Bu alan tasarrufu sağlasa da, bellekten yayılan ısı işlemciyi ısıtarak performans düşüşüne (throttling) neden oluyor. Geekerwan, Snapdragon 8 Elite Gen 5 çipini sıvı azotla soğutmaya çalıştı ancak Qualcomm amiral gemisi, aşırı düşük sıcaklıklarda bile 4,61 GHz frekansını stabil tutamadı.
Bununla birlikte, Exynos 2600 çipindeki HPB teknolojisi, ısı kontrolünde çok daha yüksek verimlilik gösterdi. Galaxy S26+ akıllı telefonu uzun süreli yük altında biraz ısınsa da, bu durum cihazdaki buhar odasının küçük olmasıyla açıklanıyor. Sorunun çözümü basit çıktı: Akıllı telefonun arkasına takılabilir bir fan yerleştirilerek Exynos 2600'ün maksimum gücünü tamamen geri kazanması sağlanabiliyor.
Samsung'un başarısı, sektördeki diğer oyuncuları da planlarını gözden geçirmeye zorladı. Gelen bilgilere göre Qualcomm, 2 nm'lik Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro çipinde benzer bir çözüm uygulamayı planlıyor. Apple ve MediaTek'in de gelecekteki ürünlerinde bu teknolojiyi kopyalaması bekleniyor. Samsung ise durmaya niyetli değil: Bir sonraki Exynos 2700 neslinde, işlemci ve belleğin yan yana yerleştirildiği SBS (Side-by-Side) teknolojisi hayata geçirilecek.
“Zamin”i Telegram'da okuyun!
