Samsung 4 nm quvvatlarining yarmini HBM4 bazaviy kristallariga ajratdi

Janubiy Koreyaning texnologiya giganti Samsung oʻzining 4 nanometrli texnologik jarayon quvvatlarining salmoqli qismini xotira ishlab chiqarishga yoʻnaltirdi. ZDNet nashrining xabar berishicha, ushbu ilgʻor quvvatlarning yarmidan koʻpi, aniqrogʻi 50-60 foizi yangi avlod HBM4 xotirasi uchun bazaviy kristallarni tayyorlashga ajratilgan. Mazkur strategik qadam sunʼiy intellekt va yuqori unumdor hisoblash tizimlari uchun moʻljallangan komponentlar bozoridagi keskin talab bilan izohlanadi. Bu haqda Ixbt.com xabar beradi.

Maʼlumki, Samsung bozorga 2 nm meʼyorlari asosida tayyorlanadigan chiplarni yetkazib berish boʻyicha peshqadamlardan biri sanaladi. Biroq, bunday turdagi SoC (kristaldagi tizim) hozircha yagona boʻlib qolmoqda, kompaniyaning asosiy yarimoʻtkazgich mahsulotlari esa 4 nm texnologiyasi yordamida ishlab chiqarilmoqda. Hozirgi kunda aynan mana shu quvvatlarning katta qismi zamonaviy xotira modullarini yaratish uchun zarur boʻlgan infratuzilmaga moslashtirildi.

HBM4 arxitekturasi va bazaviy kristallar

HBM (High Bandwidth Memory) xotirasi oʻzidan bir nechta DRAM chiplaridan iborat maxsus stekni namoyon etadi. Ushbu murakkab tuzilmaning poydevorida esa bazaviy kristall yotadi. Garchi xotiraning oʻzi butunlay oʻzgacha usullar va boshqa texnologik jarayonlar yordamida yaratilsa-da, uning asosi boʻlgan bazaviy kristall odatdagi mantiqiy SoC chiplari ishlab chiqariladigan liniyalarda yasaladi.

Aynan shuning uchun Samsung oʻzining avvalgi avlod 4 nm texnologik jarayoniga tegishli umumiy quvvatlarining yarmidan koʻpini ushbu vazifaga safarbar etdi. Manbaga koʻra, tegishli ishlab chiqarish liniyalarining umumiy quvvati oyiga 30 ming dona kremniy plastinani tashkil etadi. Bu esa kompaniyaga eng soʻnggi turdagi xotira modullariga boʻlgan ehtiyojni barqaror qoplash imkonini beradi.

Ekspertlarning fikricha, sunʼiy intellekt texnologiyalarining jadal rivojlanishi va maʼlumotlar markazlarining kengayishi xotira va protsessorlarning oʻzaro integratsiyasini yanada kuchaytirmoqda. Samsung tomonidan 4 nm liniyalarning HBM4 bazaviy kristallari foydasiga taqsimlanishi bozor talablariga tezkor moslashish zarurati bilan bogʻliq. Natijada, kompaniya yuqori tezlikdagi xotira segmentida oʻz mavqeini yanada mustahkamlashni maqsad qilgan.