Samsung сунъий интеллект тизимлари учун янги хотира архитектурасини намойиш этди

Samsung Electronикс компанияси Футуре оф Меморй анд Стораге (ФМС) 2026 конференциясида сунъий интеллект тизимларини ривожлантиришга қаратилган илғор ишланмаларини тақдим этди. ixbt.com маълумотига кўра, тақдим этилган янги концепциялар орасида энг эътиборлиси зҲБМ хотира архитектураси бўлиб, у келгусида маълумотларни қайта ишлаш тезлигини кескин ошириш имконини бериши мумкин. Бу ҳақда Ixbt.com хабар беради.

Ҳозирги кунда сунъий интеллект технологияларининг жадал ривожланиши маълумотларни узатиш тезлиги ва хотира сиғимига нисбатан юқори талабларни қўймоқда. Жанубий Корея технология гиганти тақдим этган зҲБМ концепцияси айнан шу муаммоларни ҳал этишга қаратилган бўлиб, замонавий маълумотлар марказлари ва нейротармоқларни ўқитиш жараёнларини янги босқичга олиб чиқиши кутилмоқда.

зҲБМ архитектураси ва унинг имкониятлари

Янги зҲБМ ёндашувининг асосий ўзига хослиги шундаки, у юқори тезликдаги хотирани одатдагидек ёнма-ён эмас, балки бевосита сунъий интеллект тезлатгичининг устига жойлаштиради. Бундай инновацион композиция маълумотларни узатиш масофасини қисқартиришга хизмат қилади.

Samsung баҳолашларига кўра, мазкур архитектура HBM5 авлодига нисбатан бир қатор улкан афзалликларни тақдим этиши мумкин:

• Тахминан 8 карра юқори унумдорликка эришиш
• Хотира зичлигининг 10 мартадан зиёд ошиши
• Энергия самарадорлигининг 3 баробар ўсиши
• Иссиқлик қаршилигининг 50 фоиздан ортиқ камайиши

Шунга қарамай, компания вакиллари бу кўрсаткичлар ҳозирча тайёр қурилмаларнинг синов натижалари эмас, балки зҲБМ концепциясининг дастлабки ҳисоб-китобий кўрсаткичлари эканини алоҳида таъкидладилар.

V10 Бондинг В-NAND ва бошқа янги ишланмалар

Конференцияда, шунингдек, 400 дан ортиқ қатламга эга бўлган V10 Бондинг В-NAND прототипи ҳам намойиш этилди. Ушбу технология Бондинг Вертикал (БВ) схемасидан фойдаланади. Бунда хотира катакчалари массиви ва бошқарув схемалари алоҳида тайёрланиб, сўнгра ягона тузилмага бирлаштирилади.

Samsung маълумотларига кўра, бу усул V9 В-NAND авлоди билан солиштирганда сақлаш зичлигини 58 фоизга оширади ва ўқиш, ёзиш ҳамда маълумот алмашиш тезлигини яхшилайди. Бундан ташқари, тадбирда периферик сунъий интеллект тизимлари учун зNAND-О концепцияси, шунингдек, HBM4E, HBM5, LPDDR5X-ПИМ ҳамда PM1763 ва BM1773 корпоратив қаттиқ дисклар ҳам кўрсатилди.

Ҳозирча Samsung мазкур истиқболли ишланмаларни тижорий жиҳатдан чиқариш муддатлари, нархи ва сунъий интеллект тезлатгичлари билан мослиги ҳақида аниқ маълумот бермади. Шу боис, мазкур тақдимот тайёр серияли маҳсулотларни эмас, балки келажак технологияларининг намойишини ташкил этади.