Samsung sunʼiy intellekt tizimlari uchun yangi xotira arxitekturasini namoyish etdi

Samsung Electronics kompaniyasi Future of Memory and Storage (FMS) 2026 konferensiyasida sunʼiy intellekt tizimlarini rivojlantirishga qaratilgan ilg‘or ishlanmalarini taqdim etdi. ixbt.com maʼlumotiga koʻra, taqdim etilgan yangi konsepsiyalar orasida eng eʼtiborlisi zHBM xotira arxitekturasi bo‘lib, u kelgusida maʼlumotlarni qayta ishlash tezligini keskin oshirish imkonini berishi mumkin. Bu haqda Ixbt.com xabar beradi.

Hozirgi kunda sunʼiy intellekt texnologiyalarining jadal rivojlanishi maʼlumotlarni uzatish tezligi va xotira sig‘imiga nisbatan yuqori talablarni qo‘ymoqda. Janubiy Koreya texnologiya giganti taqdim etgan zHBM konsepsiyasi aynan shu muammolarni hal etishga qaratilgan bo‘lib, zamonaviy maʼlumotlar markazlari va neyrotarmoqlarni o‘qitish jarayonlarini yangi bosqichga olib chiqishi kutilmoqda.

zHBM arxitekturasi va uning imkoniyatlari

Yangi zHBM yondashuvining asosiy o‘ziga xosligi shundaki, u yuqori tezlikdagi xotirani odatdagidek yonma-yon emas, balki bevosita sunʼiy intellekt tezlatgichining ustiga joylashtiradi. Bunday innovatsion kompozitsiya maʼlumotlarni uzatish masofasini qisqartirishga xizmat qiladi.

Samsung baholashlariga ko‘ra, mazkur arxitektura HBM5 avlodiga nisbatan bir qator ulkan afzalliklarni taqdim etishi mumkin:

• Taxminan 8 karra yuqori unumdorlikka erishish
• Xotira zichligining 10 martadan ziyod oshishi
• Energiya samaradorligining 3 barobar o‘sishi
• Issiqlik qarshiligining 50 foizdan ortiq kamayishi

Shunga qaramay, kompaniya vakillari bu ko‘rsatkichlar hozircha tayyor qurilmalarning sinov natijalari emas, balki zHBM konsepsiyasining dastlabki hisob-kitobiy ko‘rsatkichlari ekanini alohida taʼkidladilar.

V10 Bonding V-NAND va boshqa yangi ishlanmalar

Konferensiyada, shuningdek, 400 dan ortiq qatlamga ega bo‘lgan V10 Bonding V-NAND prototipi ham namoyish etildi. Ushbu texnologiya Bonding Vertical (BV) sxemasidan foydalanadi. Bunda xotira katakchalari massivi va boshqaruv sxemalari alohida tayyorlanib, so‘ngra yagona tuzilmaga birlashtiriladi.

Samsung maʼlumotlariga ko‘ra, bu usul V9 V-NAND avlodi bilan solishtirganda saqlash zichligini 58 foizga oshiradi va o‘qish, yozish hamda maʼlumot almashish tezligini yaxshilaydi. Bundan tashqari, tadbirda periferik sunʼiy intellekt tizimlari uchun zNAND-O konsepsiyasi, shuningdek, HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM hamda PM1763 va BM1773 korporativ qattiq disklar ham ko‘rsatildi.

Hozircha Samsung mazkur istiqbolli ishlanmalarni tijoriy jihatdan chiqarish muddatlari, narxi va sunʼiy intellekt tezlatgichlari bilan mosligi haqida aniq maʼlumot bermadi. Shu bois, mazkur taqdimot tayyor seriyali mahsulotlarni emas, balki kelajak texnologiyalarining namoyishini tashkil etadi.