Яримўтказгичлар соҳасида инқилоб: GaN-чипларни хатосиз лойиҳалаш технологияси тақдим этилди

Яримўтказгичлар саноатида микросхемаларни ишлаб чиқариш жараёни ўта мураккаб ва қиммат босқич ҳисобланади. Кейсигҳт Течнологиес компанияси Тайваннинг ВИН Семикондукторс корхонаси билан ҳамкорликда нитрид галлий (GaN) асосидаги радиочастотали чипларни лойиҳалаш учун мўлжалланган янги платформани тақдим этди. Ушбу инновацион ечим чипларни биринчи уринишдаёқ нуқсонсиз ишлаб чиқаришга йўналтирилган бўлиб, технологик жараёнлардаги харажатларни кескин камайтириши кутилмоқда. Бу ҳақда Ixbt.com хабар беради.

Ҳозирги вақтда микросхема лойиҳасида биргина хато кетиши бутун ишлаб чиқариш жараёнини тўхтатишга ва қайта лойиҳалашга мажбур қилади. Бу эса компаниялар учун ҳафталаб вақт йўқотилиши ва миллионлаб доллар зарар деганидир. Ixbt.com маълумотига кўра, янги платформа чипларни ишлаб чиқаришга юборишдан олдин уларнинг ишлаш самарадорлигини 100 фоизлик аниқлик билан моделлаштириш имконини беради.

Технологик жараённинг осонлашиши

Мазкур тизим Кейсигҳт Адвансед Десигн Сйстем (АДС) дастурий таъминоти ва ВИН НП 120П (ПДК) лойиҳалаш воситалари тўпламини ягона муҳитга бирлаштиради. Бу муҳандисларга нафақат чипнинг ўзини, балки унинг корпус, босма плата ва ўлчов ускуналари билан ўзаро алоқасини ҳам виртуал тарзда синовдан ўтказиш имконини беради. Натижада, маҳсулот реал фойдаланиш шароитида қандай ишлаши ҳали конвеерга чиқмасдан маълум бўлади.

Нитрид галлий (GaN) технологияси бугунги кунда юқори частотали электроника учун ўта муҳим ҳисобланади. У анъанавий кремний чипларга қараганда юқори кучланиш ва ҳароратга чидамлилиги билан ажралиб туради. Янги платформа айнан мана шу мураккаб материал билан ишлашни соддалаштиради ва ишлаб чиқарувчиларга рақобатбардош маҳсулотларни тезроқ бозорга чиқаришга ёрдам беради.

Қўлланилиш соҳалари ва бозор истиқболлари

Янги технология ёрдамида яратилган чиплар қуйидаги йўналишларда кенг қўлланилади:

• 5G алоқа стандартидаги таянч станциялари;
• Юқори тезликдаги Wi-Fi қурилмалари;
• Сунъий йўлдош алоқа тизимлари;
• Замонавий радиолокация ва мудофаа саноати ускуналари.

Ўзбекистонда ҳам 5G тармоқларининг кенгайиши ва рақамли инфратузилманинг ривожланиши фонида бундай технологик ечимлар долзарб аҳамиятга эга. Юқори частотали қурилмаларнинг таннархи пасайиши ва уларнинг энергия самарадорлиги ошиши бевосита истеъмолчиларга етказиб бериладиган алоқа сифатига ижобий таъсир кўрсатади.

Мутахассисларнинг прогнозларига кўра, радиочастотали GaN-ечимлар жаҳон бозори 2031-йилга бориб 2,77 миллиард долларга етиши мумкин. Кейсигҳт ва ВИН Семикондукторс ҳамкорлиги ушбу улкан бозорда етакчилик қилишни ва микросхемалар ишлаб чиқаришдаги "қайта ишлаш" (ре-спин) тушунчасига чек қўйишни мақсад қилган. Бу эса технологик стартаплар ва йирик корпорациялар учун инновациялар тезлигини янги босқичга олиб чиқади.