Samsung технологияларини ўғирлаган муҳандис 7 йилга ҳукм қилинди

Samsung технологияларини ўғирлаган муҳандис 7 йилга ҳукм қилинди
Қисқача

Жанубий Кореяда Samsung компаниясининг 28 йил давомида ишлаган собиқ муҳандиси махфий ҳужжатларни Хитойнинг ЧангХин Меморй Течнологиес (CXMT) компаниясига ноқонуний ўтказгани учун 7 йилга озодликдан маҳрум этилди. У DRAM хотирасини ишлаб чиқаришнинг 600 га яқин босқичини ўз ичига олган Просесс Ресипе План (PRП) технологик ҳужжатини ўтказишда айбдор деб топилди.

Жанубий Кореяда яримўтказгичлар саноатига оид йирик жосуслик можароси бўйича суд ҳукми ўқилди, унга кўра Samsung компаниясининг собиқ ходими 7 йил муддатга озодликдан маҳрум этилди. Маеил Бусинесс нашри маълумотига кўра, бу иш замонавий микрочиплар бозоридаги шиддатли рақобат ва интеллектуал мулк хавфсизлиги қанчалик долзарб эканини яққол кўрсатиб беради. Бу ҳақда Ixbt.com хабар беради.

Маълум қилинишича, 28 йил давомида Samsung компаниясида фаолият юритган ва кейинчалик Хитойнинг ЧангХин Меморй Течнологиес (CXMT) компаниясига ишга ўтган муҳандис махфий ҳужжатларни ноқонуний равишда ўтказиб беришда айбдор деб топилди. Тергов материалларида гап DRAM хотирасини ишлаб чиқаришнинг 600 га яқин босқичини ўз ичига олган Просесс Ресипе План (PRП) технологик ҳужжати ҳақида бормоқда.

Технологик ўғрилик тафсилотлари

Суд жараёнида айбланувчи сифатида кўрсатма берган собиқ муҳандиснинг сўзларига кўра, бу маълумотларни қўлга киритиш дастлабдан CXMT стратегиясининг бир қисми бўлган. Унинг таъкидлашича, Хитой компанияси ўз фаолиятининг бошланғич босқичида технологияни нолдан ишлаб чиқиш учун етарли илмий-ишлаб чиқариш инфратузилмасига эга бўлмаган ва шу сабабли Samsung ҳужжатларига таяниб иш кўрган.

Мутахассисларнинг фикрича, яримўтказгичлар ишлаб чиқаришнинг технологик рецепти биргина ҳужжат орқали тўғридан-тўғри нусха кўчириш имконини бермаса-да, унинг қиймати ўта юқори ҳисобланади. Бундай ҳужжатларда юзлаб операциялар кетма-кетлиги, материалларни қатламлаш параметрлари, ҳарорат ва босим кўрсаткичлари батафсил баён этилади.

Хитой яримўтказгичлар саноати ва унинг оқибатлари

Мазкур махфий маълумотларга эга бўлиш қимматбаҳо тажрибалар сонини кескин камайтириш ҳамда ўз технологик жараёнини ишлаб чиқиш вақтини сезиларли даражада қисқартириш имконини беради. Одатда тажрибали ишлаб чиқарувчилар учун янги DRAM жараёнини яратиш учдан беш йилгача вақт талаб қилса, янги келганлар учун бу муддат янада узоқроқ давом этиши мумкин.

Шуни ҳам таъкидлаш жоизки, тақдим этилган PRП ҳужжати технологияни тўлиқ такрорлаш учун етарли эмас, бунинг учун транзисторлар архитектураси, фотошаблонлар ва лойиҳалаш меъёрлари каби қўшимча маълумотлар талаб қилинади. Шунга қарамай, CXMT 2019-йилда ўзининг 22 нанометрли технологиясида DDR4 хотирасини оммавий ишлаб чиқаришни йўлга қўйган эди, 2023-йилда эса 18 нанометрли DRAM чиқарила бошланди.

Ҳозирги кунда CXMT Хитойдаги энг йирик DRAM ишлаб чиқарувчиси мақомига эга бўлиб, Samsung, СК ҳйних ҳамда Микрон каби жаҳон гигантлари билан фаол рақобат олиб бормоқда. Ушбу можаронинг юзага келиши Осиё минтақасидаги технологик хавфсизлик ва кадрлар сиёсати масалаларини яна бир бор глобал муҳокама марказига олиб чиқди.

Zamin.uz сайтини Google'га қўшинг"Zamin"ни Telegram'да ўқинг!
Zamin AI билан муҳокама қилингЯнгиликни таҳлил қилинг, фойдали маслаҳатлар олинг

Изоҳлар 0

Мавзуга оид янгиликлар